PRODUCTS & TECHNOLOGY

공정을 완성하는
초정밀 Stage

반도체·디스플레이·Micro OLED·Micro LED 공정에 최적화된 초정밀 Stage를 설계·제조합니다.

nsntek HIGH TECHNOLOGY

반도체·디스플레이 산업을 움직이는 초정밀 기술

구동 구조와 공정 요구에 따라 최적의 기술을 적용합니다.

Sub-nano

Air-bearing · Orifice

석정반 Orifice Air Floating 방식으로 기계적 마찰을 제거하여 Sub-nano급 정밀도와 반복도를 실현합니다.

Display

Inkjet Stage

디스플레이 잉크젯 공정을 위한 고강성·고속 Gantry Stage. 반력 해석으로 무게를 최소화합니다.

10⁻⁷ Torr

고진공 Vacuum

진공도 10⁻⁷ 대응 Mask 검사용 고진공 Stage. 저중심 설계로 빠른 위치 결정을 구현합니다.

8.6GH

Docking & Gantry

8.6GH 대형 기판을 위한 주물·석정반 분할 Docking Type. Active Isolator로 외부 진동을 감쇠합니다.

PRODUCTS & TECHNOLOGY

대표 제품

반도체·디스플레이·Micro OLED/LED 공정에 적용된 엔에스엔텍의 대표 Stage입니다.

01

디스플레이용 대형 Stage

최대 10.5G 제작 · 정반/주물 도킹, 에어베어링, 다축 구조

4 Products
DisplayTOS Stage 정반 도킹타입

정반 도킹타입

정반을 분리한 도킹 구조로 약 50축 규모를 제어합니다. 초대형 디스플레이 기판을 다루면서도 넓은 작업 영역 전체에서 진직·평탄·반복도를 안정적으로 유지합니다.

정반 분리 도킹 · 약 50축
주요 사양
± 5 ㎛ Straightness
± 8 ㎛ Flatness
± 1 ㎛ Repeatability
DisplayELA Stage 에어베어링타입

에어베어링타입

Airbearing Coplanar 구조를 적용해 저속 구간에서도 속도리플을 낮췄습니다. 긴 스트로크 전 구간에 걸쳐 진직도와 평탄도를 고르게 유지합니다.

저속 구간 속도리플 우수
주요 사양
X 2,500 · Y 1,400 mm Stroke
± 2 ㎛ Straightness
± 2 ㎛ Flatness
± 0.3 %@10mm/s Velocity Ripple
DisplayATS Stage 다축구조

다축구조

약 90축에 달하는 다축 구성과 정반 도킹 구조로 초대형 기판 공정에 대응합니다. 넓은 스트로크 어디에서나 균일한 정도를 제공합니다.

약 90축 구조의 대형 Stage
주요 사양
± 5 ㎛ Straightness
± 8 ㎛ Flatness
± 1 ㎛ Repeatability
Display8.6G HD LLO Stage 주물도킹

주물도킹

약 10미터 길이를 3단 도킹으로 구성하고 상부에 에어베어링을 적용했습니다. 넓은 이동 범위에서도 낮은 속도리플(상부축 기준)로 안정적인 이송을 지원합니다.

약 10미터 3단 도킹 · 에어베어링 구조
주요 사양
X 2,400 · Y 3,700 mm Stroke
± 3 ㎛ Straightness
± 5 ㎛ Flatness
± 0.5 ㎛ Repeatability
± 0.05 %@150mm/s Velocity Ripple
02

반도체용 소형정밀 Stage

패키징용 · PCB 기판용 등 · 오리피스 에어베어링, 고진공, 고가속·고속

4 Products
Semiconductor에어베어링 타입

에어베어링 타입

2면부상 오리피스 에어베어링 구조(특허 등록)를 적용한 소형 모델입니다. ±0.1㎛ 정확도와 ±0.05㎛ 반복도로 반도체 패키징·PCB 공정의 미세 위치 제어에 대응합니다.

2면부상 오리피스 에어베어링 · 특허등록
주요 사양
X 500 · Y 500 mm Stroke
± 0.1 ㎛ Accuracy
± 0.05 ㎛ Repeatability
± 0.5 ㎛ Straightness
± 0.7 ㎛ Flatness
± 0.03 %@100mm/s Velocity Ripple
Semiconductor진공 Laser Pattern Stage 고진공용

고진공용

10⁻⁷ Torr 수준의 고진공 환경에서 구동하도록 설계했습니다. 진공 조건에서도 ±2㎛ 진직도와 ±0.2㎛ 반복도를 안정적으로 유지합니다.

10⁻⁷ Torr 구현 Stage
주요 사양
X 600 · Y 140 mm Stroke
± 0.2 ㎛ Repeatability
± 2 ㎛ Straightness
± 3 ㎛ Flatness
± 1 arcsec Yaw
± 2 arcsec Pitch
± 20 nm Jitter
SemiconductorC Project 고가속타입

고가속타입

아이솔레이터를 수직·수평으로 배치해 2G급 고가속 구동을 구현했습니다. LM Bearing을 사용하고도 진직·평탄·반복도를 높은 수준으로 확보해 공정 생산성을 높입니다.

아이솔레이터 수직·수평 배치로 2G 고가속
주요 사양
X 500 · Y 500 mm Stroke
1,000 mm/s Max Velocity
2 G Acceleration
± 0.15 ㎛ Accuracy
± 0.1 ㎛ Repeatability
± 0.6 ㎛ Straightness
± 0.6 ㎛ Flatness
± 1 arcsec Yaw
± 1 arcsec Pitch
100 msec@1mm (± 0.15㎛) Settling Time
SemiconductorGlass Core TGV 고속타입

고속타입

최대 1,500mm/s 속도와 2G 가속도를 갖춘 고속 모델입니다. 1mm 구동 시 100msec Move & Settling Time과 ±0.1㎛ 반복도를 동시에 만족해 빠르면서도 안정적인 공정 대응이 가능합니다.

최대 1,500mm/s 고속 Stage
주요 사양
X 600 · Y 1,000 mm Stroke
1,500 mm/s Max Velocity
2 G Acceleration
± 0.15 ㎛ Accuracy
± 0.1 ㎛ Repeatability
± 1.5 ㎛ Straightness
± 2 ㎛ Flatness
± 1 arcsec Yaw
± 1.5 arcsec Pitch
100 msec@1mm (± 0.15㎛) Settling Time

* 사양은 공정 요구에 따라 맞춤 설계됩니다. 정확한 사양은 문의해 주세요.

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